实验研究了ＳＩ－ＧａＡｓ材料中的ＥＬ２能级光淬灭对ＴＳＣ谱的影响。ＥＬ２能级显著光淬灭后，ＴＳＣ谱发生了明显的变化。一些ＴＳＣ峰的高度明显降低甚至消失，在低温端ＴＳＣ谱出现一......

中子辐照的水平生长出绝缘GaAs(样品A)、原生的和塑性形变的直法拉制半绝缘GaAs(样品C和D),都给出一组四线谱,但在不同的样品中呈......

ＤｏｕｂｌｅＤｏｎｏｒＢｅｈａｖｉｏｒｏｆＥＬ２ＤｅｆｅｃｔｉｎＰｈｏｔｏｑｕｅｎｃｈｉｎｇＥｘｐｅｒｉｍｅｎｔＺｈｏｕＢｉｎ１，２，ＹａｎｇＸｉｑｕａｎ１ａｎｄＷａｎｇＺｈａｎｇｕｏ１（周滨）（杨锡权）（王占国）１．ＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＳｅｍｉ.........

利用ＳＩ－ＧａＡｓ中ＥＬ２缺陷在低温下特有的光淬灭行为，提出了一个证明ＥＬ２缺陷是一个具有多个不同荷电状态的双施主中心的实验方法。讨论了该方法用于测......